Наверх

ФОЭЛ-1(У) Контактные явления в полупроводниках

Артикул: ТП-135

ФОЭЛ-1(У) Контактные явления в полупроводниках

Цена: предоставляется по запросу

Задать вопрос по оборудованию

Лабораторный модуль представляет собой комплекс для изучения основных характеристик p-n перехода. Экспериментально получаемые вольтамперные характеристики p-n перехода при различной температуре сравниваются с теоретическими расчётами. Определяется электроёмкость двойного электрического слоя p-n-перехода при различных внешних напряжениях, прикладываемых к переходу (вольт-фарадная характеристика). Оцениваются основные параметры перехода — ток насыщения и потенциальный барьер. Изучаются основные механизмы пробоя p-n перехода и оценивается ширина запирающего слоя и концентрация примесей в полупроводнике. Комплекс может быть выполнен как для изучения основных характеристик в статическом режиме по точкам (ФОЭЛ-1), так и для работы с осциллографом в динамическом режиме (ФОЭЛ-1У).

Задать вопрос

Нажимая кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных