Получение атомарного разрешения на поверхности графита

Принцип:

Острый металлический наконечник подносят к электропроводящему образцу путем приложения электрического поля, что приводит к возникновению тока между зондом и образцом без какого-либо механического контакта. Этот так называемый туннельный ток используется для исследования электронной топографии на вспомогательном нанометровом масштабе поверхности свежеприготовленного графита (ВОПГ). При сканировании наконечника построчно изображается атомная поверхность графита и гексагональная структура.

Задачи:

1. Подготовить наконечник Pt-Ir и графит (ВОПГ) образец и поднести наконечник к образцу.
2. Получение топографии поверхности исследуемого образца в режиме постоянного туннельного тока
3. Изобразить расположение атомов графита на чистой террасе с помощью  оптимизации туннелирования и параметров сканирования. Интерпретировать структуру на основе анализа углов и расстояний между атомами и атомными рядами и с помощью 2D и 3D графитовых моделей.

4. Измерить и сравнить изображения в режиме постоянного тока постоянной высоты.

 Основные термины:

• Туннельный эффект
• Шестигранные структуры
• Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ)
• Изображения на вспомогательном нанометровом масштабе
• Пьезоэлектрические устройства
• Локальная плотность состояний (ЛПС)
• Режим постоянной высоты
• Режим постоянного тока