Наверх
Навигация:ГлавнаяДля ВУЗов, техникумов и ПУОборудование PHYWE (Германия)ФизикаФизика рентгеновских излученийРентгеновское изучение кристаллических структур / метод Лауэ

Рентгеновское изучение кристаллических структур / метод Лауэ

Артикул: P2541605

Рентгеновское изучение кристаллических структур / метод Лауэ

Цена: предоставляется по запросу

Задать вопрос по оборудованию

Принцип

Диаграммы Лауэ получают при облучении монокристаллов полихроматическим рентгеновским излучением. Этот метод в основном используется для определения симметрии и ориентации кристаллов. Когда монокристалл LiF облучают полихроматическим рентгеновским излучением, получается характерная дифракционная картина. В эксперименте этот образец фотографируется, а затем оценивается.

Задание

  1. Запишите на пленке дифракцию Лауэ монокристалла LiF.
  2. Соотнесите индексы Миллера соответствующих кристаллических поверхностей к отражениям Лауэ.

Основные термины

  • кристаллические решетки
  • кристаллические системы
  • классы кристаллов
  • решетка Браве
  • обратная решетка
  • индексы Миллера
  • амплитуда структуры
  • атомный форм-фактор
  • уравнение Брэгга

Задать вопрос