Навигация:Главная›Для ВУЗов, техникумов и ПУ›Оборудование PHYWE (Германия)›Физика›Физика рентгеновских излучений›Рентгеновское изучение кристаллических структур / метод Лауэ
Рентгеновское изучение кристаллических структур / метод Лауэ
Артикул: P2541605
Цена: предоставляется по запросу
Принцип
Диаграммы Лауэ получают при облучении монокристаллов полихроматическим рентгеновским излучением. Этот метод в основном используется для определения симметрии и ориентации кристаллов. Когда монокристалл LiF облучают полихроматическим рентгеновским излучением, получается характерная дифракционная картина. В эксперименте этот образец фотографируется, а затем оценивается.
Задание
- Запишите на пленке дифракцию Лауэ монокристалла LiF.
- Соотнесите индексы Миллера соответствующих кристаллических поверхностей к отражениям Лауэ.
Основные термины
- кристаллические решетки
- кристаллические системы
- классы кристаллов
- решетка Браве
- обратная решетка
- индексы Миллера
- амплитуда структуры
- атомный форм-фактор
- уравнение Брэгга
← Назад