Навигация:Главная›Для ВУЗов, техникумов и ПУ›Физика›Квантовая физика›ФКЛ-5 Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода
ФКЛ-5 Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода
Артикул: ТП-06
Цена: предоставляется по запросу
Лабораторный модуль ФКЛ-5 предназначен для демонстрации чисто квантового явления — туннельного эффекта. Данный модуль позволяет проводить исследование туннельного эффекта в вырожденном p-n переходе, изучать основные закономерности данного физического явления. Производится построение вольт-амперной характеристики туннельного диода, с последующем определением параметров туннельного перехода в диоде и сравнением их с предварительными теоретическими оценками. Объектом исследования является полупроводниковый германиевый образец, напряжение на котором и ток измеряются при помощи специально собранного на основе микропроцессора Atmel цифрового комбинированного прибора. Модуль выполнен в виде законченного блока, не требующего вмешательства пользователей в процессе эксплуатации.
← Назад