Наверх
Навигация:ГлавнаяДля ВУЗов, техникумов и ПУФизикаКвантовая физикаФКЛ-5 Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода

ФКЛ-5 Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода

Артикул: ТП-06

ФКЛ-5 Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода

Цена: предоставляется по запросу

Задать вопрос по оборудованию

Лабораторный модуль ФКЛ-5 предназначен для демонстрации чисто квантового явления — туннельного эффекта. Данный модуль позволяет проводить исследование туннельного эффекта в вырожденном p-n переходе, изучать основные закономерности данного физического явления. Производится построение вольт-амперной характеристики туннельного диода, с последующем определением параметров туннельного перехода в диоде и сравнением их с предварительными теоретическими оценками. Объектом исследования является полупроводниковый германиевый образец, напряжение на котором и ток измеряются при помощи специально собранного на основе микропроцессора Atmel цифрового комбинированного прибора. Модуль выполнен в виде законченного блока, не требующего вмешательства пользователей в процессе эксплуатации.

Задать вопрос

Нажимая кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных